台积电:美国5纳米芯片厂已开建 3纳米明年下半年量产

6月2日消息 据台媒报道,台积电投资120亿美元在美国亚利桑那州建5纳米芯片厂,公司高管周二表示,工厂已经开始建设。此外,下一代3纳米技术正在按计划推进,目标是在明年下半年开始量产。

此前,美国政府提供540亿美元补贴芯片企业赴美建厂计划,台积电、英特尔、三星全部跃跃欲试。最新消息称,台积电已投资120亿美元在美国亚利桑那州建芯片厂,工厂已经开始建设。台积电CEO在公司线上年会召开时表示,从2024年开始工厂将会用5纳米技术量产芯片。

此外,台积电还表示,继2020年领先业界量产5纳米(N5)技术,良率提升的速度较前1世代的7纳米技术更快之后,3纳米(N3)技术将于2022年下半年开始量产,届时将成为全球最先进的逻辑技术。N3将凭着可靠的FinFET电晶体架构,支援最佳的效能、功耗效率以及成本效益,相较于N5技术,其速度增快15%,功耗降低达30%,逻辑密度增加达70%。

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